拋光漿是由多種化工溶液配制而成的溶液，它在拋光工藝中有重要的地位，合理選擇拋光漿，能使加工出來的工件表面光亮美觀，色澤鮮艷，光亮奪目，還可以防止工件的銹蝕，保持與提高工件表面的光澤，起到清潔工件與磨具的作用。去除油污，軟化工件表面以加速磨消，減少磨具對工件的沖擊，改善工件條件。它具有無毒，無腐蝕，不易變質等性能。
機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
1.拋光首先使吸附在拋光布上的拋光漿中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
2.拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
硅片的化學機械拋光漿過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。
