自動拋光機專用臘依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。
自動拋光機專用臘,中山市乾泰拋光材料有限公司主要生產(chǎn)固體拋光膏及液體拋光漿,拋光劑,液體拋光臘,液體拋光蠟,不銹鋼拋光液,自動拋光機專用臘,拋光漿,拋光液等拋磨材料,自產(chǎn)自銷.
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